650v, Super FET III mosfet，具有更高的功率密度和超过40%的低RDS

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-17

摘要： ON Semiconductor提供其650 V, Super FET III mosfet具有更高的功率密度和超过40%的低RDS(ON)在相同的封装尺寸

在半导体的650 V, Super FET III系列提供专为高功率密度设计的高性能超级结mosfet。SuperFET III技术在相同的封装尺寸下将R(DS(ON))降低了40%以上，这是与之前行业领先的技术相比的，该技术允许产品设计师在相同的封装尺寸下减小或增加功率。

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