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Alliance Memory, Inc.

8兆到128兆高速CMOS psram

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-17

摘要： Alliance Memory的设备提供了取代便携式电子产品sram所需的高带宽和低功耗

Alliance Memory的高速CMOS伪sram (psram)结合了sram和dram最理想的特性，为设计人员提供易于使用、低功耗、低成本的内存解决方案。具有高密度DRAM核心与SRAM接口和片上刷新电路，无刷新操作，这些设备提供高带宽和低功耗，以取代SRAM在便携式电子产品，如移动电话和pda，或作为配套芯片，burst或Flash应用。

特性

密度范围广:

8 Mb、16 Mb和32 Mb设备，具有与异步类型SRAM兼容的接口
64兆和128兆CellularRAM psram具有多路地址/数据总线以获得更大的带宽

提供6.0 mm x 7.0 mm x 1.0 mm 48-ball FPBGA和4.0 mm x 4.0 mm x 1.0 mm 49-ball FPBGA软件包
支持异步和突发操作
以4、8、16或32个字或连续的读或写长度为特征

工业温度范围-30°C至+85°C和-40°C至+85°C
快速存取速度70
单电源运行1.7 V至1.95 V或2.6 V至3.3 V
节电功能:

自动温度补偿自动刷新(ATCSR)
部分数组自刷新(PASR)
深度断电(DPD)模式

应用程序

无线
汽车

网络
工业

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