ACPL-W349光耦合器

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-11

摘要： Broadcom的ACPL-W349是一个2.5 a输出电流SiC/GaN MOSFET和IGBT栅驱动光耦合器，额定电压高达1200 V/100 a

Broadcom的ACPL-W349包含一个AlGaAs LED，它是光学耦合到一个具有功率输出级的集成电路。这种光耦合器非常适合于驱动SiC/GaN(碳化硅/氮化镓)mosfet和igbt在功率转换应用。输出级的高工作电压范围提供了门控器件所需的驱动电压。该光电耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合于直接驱动额定高达1200 V/100 A的SiC/GaN MOSFET和IGBT。

特性
2.5 max。峰值输出电流宽工作V(CC)范围:15 V至30 V 110 ns马克斯。传播延迟 50 ns马克斯。传播延迟的区别轨到轨输出电压在V(CM) = 1500 V时的最小共模抑制(CMR 具有滞后的LED电流输入		I(CC) = 4.2 mA max。电源电流安全的批准 UL识别5000v (RMS) 1分钟。 CSA IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 V(IORM) = 1140 V(峰值) 欠压闭锁保护(UVLO)具有滞后工业温度范围:-40°C至+105°C
应用程序
SiC/GaN MOSFET和IGBT栅极驱动马达驱动器工业逆变器		可再生能源逆变器开关电源

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2.5 max。峰值输出电流宽工作V(CC)范围:15 V至30 V 110 ns马克斯。传播延迟 50 ns马克斯。传播延迟的区别轨到轨输出电压在V(CM) = 1500 V时的最小共模抑制(CMR 具有滞后的LED电流输入		I(CC) = 4.2 mA max。电源电流安全的批准 UL识别5000v (RMS) 1分钟。 CSA IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 V(IORM) = 1140 V(峰值) 欠压闭锁保护(UVLO)具有滞后工业温度范围:-40°C至+105°C
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