二极管公司的DESD3V3Z1BCSF是数据线保护产品家族中的一种超低输入电容(典型0.17 pF) TVS器件，与同一产品家族最近发布的器件相比，它的插入率降低了66%。该器件保护在先进纳米工艺节点上制造的片上混合信号系统(SoCs)的高速I/O。它凭借其特点(0.6毫米x 0.33毫米)足迹,击穿电压9 V (VBR), 3最大峰值脉冲电流(IPP)和4.5 V(典型的)钳位电压(VCL) IEC61000-4-5(8/20μ年代)。DESD3V3Z1BCSF设计用于在空气和接触放电中承受高达±8 kV / IEC61000-4-2的腐蚀性ESD冲击(VESD)。

DESD3V3Z1BCSF非常适合保护高速接口，如USB 3.1/3.2(高达20 Gbps)和Thunderbolt 3(高达40 Gbps)，从可能的ESD危害。安装在绿色X2-DSN0603-2封装中，该设备非常适合于完全自动化的制造环境，并轻松适用于空间有限的系统。

特性

• 超低通道输入电容
  • 输入电容低至0.17 pF typ。，在任何一对高速差分传输线上的插入损耗达到或超过USB 3.1/3.2和Thunderbolt 3所需的插入损耗
• 低夹紧电压和反向锁紧电压
  • 夹紧电压(VCL)为4.5 A typ。当IPP = 3 A，反向对峙电压(VRWM)在3.3 V最大值时，该设备确保被保护的混合信号SoC在安全范围内舒适地工作
• 符合IEC61000-4-2和IEC61000-4-5
  • 一个频道的I / O保护IEC61000-4-2 (ESD)高达±8千伏空气和接触,IEC61000-4-5(8/20μ年代激增)峰值脉冲电流(IPP) 3最多
• 超小型X2-DSN0603-2包
  • 极小的占地面积(0.6 mm x 0.3 mm typ.)和极低的z高度(0.3 mm typ.)使该设备能够适应严格的应用环境