Diodes Incorporated DGD2003、DGD2005和DGD2012具有高侧和低侧输出驱动能力，具有简单的逻辑电平输入，使MCU和功率MOSFET开关之间有一个简单的接口。支持高达200伏通过浮动高侧适合广泛的电机驱动在电池供电的应用程序。这些门驱动程序包含自我保护功能,如空载和匹配拖延逃避射穿的问题,施密特触发输入以避免假触发,门驱动宽容-瞬变引起高dv / dt切换期间,和欠压锁定(UVLO)保护V (CC)和V (BS)供应,以避免在低电源电压故障。

特性

• 源极电流(0.29 A, 0.6 A DGD2003/5;1.9 A, 2.3 A DGDG2012)通过最小化功率mosfet的开关时间提高系统效率

• 逻辑电平输入;2.5 V PWM直接从3.3 V MCU控制，而输出步骤至V(CC)电源(8 V到14 V)，以确保MOSFET充分增强，以减少损耗

• 为了保护MOSFET不受击穿，这些门驱动具有匹配的延迟

• SO-8足迹标准封装和pinout便于使用

应用程序

• 电机驱动-无刷直流(BLDC)电机驱动高达200v，特别是在电池供电的应用:

• 无绳电动工具，园艺工具，家用电器

• 轻型电动车(LEVs)

• 机器人

• 无人驾驶飞机

• 能量转化

• 逆变器驱动