摘要: Taiwan Semiconductor的TQM AEC-Q101合格的单和双n沟道沟槽mosfet具有175°Tj额定,可湿式侧面PDFN封装。TQM系列单和双n通道汽车级功率场效应管提供漏源击穿电压(BV(DSS))为40v或60v。
Taiwan Semiconductor的TQM系列单和双n通道汽车级功率场效应管提供漏源击穿电压(BV(DSS))为40v或60v。AEC-Q101系列的所有部件的最高工作温度(T(j))为+175°C。所有的100%测试符合公布的最大电阻(R(DS(on)))和UIS/雪崩评级。这些设备都包装在一个工业标准,可湿式侧面,5毫米x 6毫米PDFN包。
特性
100% ui /雪崩额规性:提供一致的安全操作区域(SOA)的保证
R (DS ),马克斯。保证:100%的测试符合公布的规格允许设计更小的利润
AEC-Q101认证:确保经过验证的质量和可靠性,在关键的运输电子和其他高可靠性应用
+ 175°C T (j),马克斯。:对许多汽车应用是必不可少的
可湿式侧面包装:有利于降低成本制造(AOI vs x射线检查),并提供更高的生产产量
产品部件审批流程(PPAP):台湾半导体MOSFET制造设施符合最严格的AEC标准;PPAP文件可根据要求提供
应用程序
12 V汽车系统
车身电子系统中的负载切换和H桥电机控制
动力传动系统传动控制
直流-直流转换器
电动助力转向
座椅加热器,ECU,挡风玻璃雨刷,底盘和车身电子应用
座位位置控制系统
通用开关和功率转换
高侧和低侧切换负载范围广泛
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