Texas Instruments公司的LMG3410R050和LMG3411R050 GaN功率级集成了驱动器和保护，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅mosfet相比，这些器件提供了固有的优势，包括超低输入和输出电容，零反向恢复降低高达80%的开关损耗，以及低开关节点振铃降低EMI。这些优点使诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑成为可能。

LMG3410R050和LMG3411R050通过集成一组独特的功能，简化设计，最大限度地提高可靠性，并优化任何电源的性能，提供了一个智能替代传统cascode GaN和独立GaN fet。集成门驱动器支持100 V/ns开关，近零V(DS)振铃，小于100 ns限流响应自动保护，防止意外击穿事件，超温关机防止热失控，系统接口信号提供自我监控能力。