摘要: 安安半导体创新和技术领导的历史
ON半导体公司在20世纪90年代发明了沟槽mosfet。从那时起,他们一直在完善MOSFET技术和制造,以开发数以千计的产品用于任何应用的大型组合。ON Semiconductor的mosfet提供一流的性能,高FOM(优点的数字),和针对针的兼容性,便于使用。设计师继续选择半导体mosfet的高质量和可靠性,设计支持,和一致的可用性。
低电压30 V | 中压30伏至250伏 | 高电压250 V ~ 1700 V |
低压N-和p -沟道mosfet的最广泛的应用范围,包括直流/直流转换,热交换和负载开关。 | 中压mosfet通过使用屏蔽门技术的先进沟槽工艺提供低开关节点振铃。 | 在半导体家族的平面,沟槽和超结高压场效应管的设计高效率和耐用性。 |
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为什么选择半导体fet ?
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