高速CMOS DDR同步DRAM经过Insignis专有扩展测试流程的审查，以减轻早期寿命故障，确保工业使用的高质量和长期可靠性。它有一个同步接口(所有信号都登记在时钟信号CK的正边缘)。数据输出发生在CK的上升边，对SDRAM的读写访问是面向突发的;访问从一个选定的位置开始，并在一个已编程的序列中为一个已编程的位置数继续。访问从注册银行激活命令开始，然后是读或写命令。

该设备提供可编程的读或写脉冲长度为2、4或8。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自计时行预充电。刷新功能，无论是自动刷新还是自刷新，都很容易使用。此外，512mb DDR SDRAM具有一个可编程DLL选项。

通过可编程模式寄存器和扩展模式寄存器，系统可以选择最适合的模式，使其性能最大化。这些设备非常适合于需要高内存带宽的应用程序，因此设备特别适合于高性能主存和图形应用程序。