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ROHM Semiconductor

SiC肖特基势垒二极管

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-01

摘要： ROHM的超低开关损耗二极管可用于各种电流额定值和封装

ROHM提供碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管的各种电流额定值和封装。一些特点包括低正向电压降，高峰值电流(IFSM)额定值，低泄漏。他们可与一个或两个二极管每个封装，和一些AEC-Q101合格的型号可供汽车使用。反向恢复时间(t(rr))几乎是恒定的，与温度无关(主要由器件电容决定)。它提供的开关损耗比硅快速恢复二极管(sifrd)低得多。

特性

超快的恢复时间
最大结温:175°C
额定650 V或1200 V的封装器件
空模可达1700v
香料和热模型可用

2 A、4 A、5 A、6 A、8 A、10 A、12 A、15 A、20 A、30 A、40 A连续正向电流额定值
第三代低VF
工作温度范围:-40°C至+175°C

应用程序

功率因数校正电路
辅助整流器
汽车电子

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