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1200 V RC-E反向导电IGBT

出处 :HQBUY 发布时间 : 2021-02-26 关键词: Infineon Technologies 阅读 :

摘要:英飞凌具有经济、高效的1200 V RC-E反向导电IGBT


英飞凌RC-E系列igbt建立在特定应用技术的悠久传统之上。他们是成本优化和充分功能,专门为软开关应用。RC-E技术使用带有单体集成反向传导二极管的IGBT来设定价格、性能和易用性的基准。这个系列提供英飞凌在RC igbt中经过验证的质量,并满足软开关应用的所有需求。该RC-E系列是一个强大的单片体二极管低正向电压。其中包括TRENCHSTOP(TM)技术,该技术提供了一个非常紧密的参数分布,高强度,温度稳定的行为,一个低V(CE(SAT)),以及由于V(CE(SAT)的正系数,一个容易的并行开关能力。


特性和好处
  • 低E(关)和V(CE(SAT))
  • 专为软开关应用而设计
  • 优化性能,切换频率从18 kHz到40 kHz
  • 最常用的阻塞电压:1200 V
  • 低损耗有助于设计符合能源效率标准
  • 替换现有的设计
  • 软开关具有良好的电磁干扰性能