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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

LPDDR4/4X移动更快

来源：HQBUY 发布时间：2021-02-26

摘要： ISSI的LPDDR4/4X使用双数据速率架构来实现高速运行

ISSI的LPDDR4和LPDDR4X是低压存储设备，可提供2 Gb、4 Gb和8 Gb密度。这些设备被组织为每个设备的1/2通道，每个通道是8个银行和16位。LPDDR4和LPDDR4X使用双数据速率体系结构来实现高速操作。双数据速率体系结构本质上是一个16N预取体系结构，其接口设计用于在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。

LPDDR4和LPDDR4X提供对时钟上升和下降边缘的完全同步操作。数据路径是内部流水线和16n位预取，以实现非常高的带宽。LPDDR4和LPDDR4X都以可编程和动态突发长度的可编程读和写延迟为特征。这些设备的低压核心和I/O使它们成为移动应用的理想选择。

特性

低压
- LPDDR4: 1.8 V
- LPDDR4X: 1.1 V
低电压I / O
- LPDDR4: 1.1 V
- LPDDR4X: 0.6 V
10兆赫至1600兆赫频率范围
每I/O数据速率20 Mbps到3200 Mbps
16N预取DDR架构
8个内部银行，每个通道并行操作
多路复用，双数据速率，命令/地址输入
低功耗的移动功能
可编程动态突发长度(BL=16或32)

可编程读写延迟
芯片上的温度传感器，有效的自我刷新控制
ZQ校准
可调驱动力量
部分数组自刷新(PASR)
10毫米x 14.5毫米BGA-200包
时钟频率:1.6 GHz
DRAM内存格式:
内存接口:平行
内存类型:挥发性
安装方式:表面贴装
工作温度:-40°C至95°C (T(C))
包/case: 200-TFBGA到200-WFBGA
技术:SDRAM mobile LPDDR4
电源电压:1.06 V至1.17 V, 1.7 V至1.95 V

应用程序

移动计算

平板电脑

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