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MOSFET值下GaN的性能

来源:HQBUY 发布时间:2021-02-25

摘要: EPC引入eGaN FETs,以硅的价格提供GaN的性能



EPC提供eGaN fet,打破硅的成本-速度障碍,以硅的价格提供GaN的性能。基于gan的晶体管可以在1000多种应用中找到,例如4G/LTE基站的包络跟踪、自动驾驶车辆的激光雷达系统、d类音频系统、卫星、汽车照明、无线功率发射器、交直流和DC-DC电源供应等等。早期应用的设计者被驱使到GaN,基于更快的速度和更高的硅器件性能。更快的切换可以转化为更小的体积,更高的效率和更低的系统成本。氮化镓晶体管的转换速度比硅器件快十倍。为了获得这种增强的性能,客户为最先进的功率晶体管支付了更高的价格。


现在这种情况正在改变。60年来,首次出现了一种性能和价格都优越的非硅技术。eGaN fet不仅比功率mosfet更快更小,而且价格也相当。


GaN为医疗、汽车、消费和电信领域的产品开辟了全新的市场,如果没有这项技术所带来的性能改善,这些产品将不存在。这些都是有趣的应用程序,比如增强现实和高级游戏功能。此外,还有一些应用程序旨在为我们的生活增加极大的便利,比如无线电源和自动驾驶汽车。但最重要的是,它们是改变生活的应用,比如发展中国家的移动通信、药片结肠镜检查和无线心脏泵,极大地提高了使用它们的人的生活质量。


特性
  • 性能优越
  • 更小的尺寸
  • 高可靠性
  • 低的价位
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