NXP的MRFX系列射频晶体管额定功率为1800 W(连续波)。基于NXP内部实验室开发的65v LDMOS技术，这些产品设计为高性能和易于使用。移到65v的漏极电压增加了输出阻抗，确保更高的击穿电压。NXP的1250w、1500w和1800w晶体管的嵌入式兼容性使客户能够为多种终端产品创建单个可扩展平台。随着射频在各种工业应用中变得越来越普遍，恩智浦正在为射频功率工程师提供缩短设计周期的方法。

恩智浦还提供1800 W塑料包装MRFX1K80N。这种封装使更高的射频输出功率和降低30%的热阻。它是针兼容的陶瓷MRFX1K80H。

可用性和开发支持

该MRFX1K80H晶体管的空气腔陶瓷封装目前正在取样，预计2017年8月投产。现在提供27兆赫和87.5兆赫至108兆赫的参考电路。在MRFX1K80H发布后，NXP将提供一种过模压塑料版本MRFX1K80N，该版本将热阻降低30%，以进一步提高可靠性和易用性。

特性

• 更多的权力-更高的电压可以产生更高的输出功率，这有助于减少需要组合的晶体管数量，简化功率放大器的复杂性并减小它们的尺寸。
• 更快的开发时间-与较高的电压，输出功率可以增加，同时保持一个合理的输出阻抗。这简化了匹配到50欧姆，特别是在宽带应用中。更快的匹配显著地加快了开发时间。
• 设计重用-这种阻抗优势还确保了pin-to-pin兼容当前50 V LDMOS晶体管，使射频设计师可以重用现有的印刷电路板(PCB)设计，甚至更短的时间上市。
• 可管理的当前水平-较高的电压降低系统的电流，限制直流电源的压力，减少磁辐射。
• 广泛的安全裕度- NXP 65 V LDMOS技术的击穿电压为182 V，这提高了可靠性，并实现更高的效率架构。