德州仪器的LMG3410R070 GaN功率级集成驱动和保护，使用户在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平。与金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)相比，LMG3410R070具有固有的优势，包括超低输入和输出电容，零反向恢复可降低80%的开关损耗，低开关节点振铃可降低电磁干扰(EMI)。这些优点使包括图腾柱功率因数校正(PFC)在内的密集高效拓扑成为可能。

LMG3410R070是传统cascode GaN晶体管和独立GaN场效应晶体管(FETs)的智能替代品，集成了一套独特的功能，简化设计，最大限度地提高可靠性，并优化任何电源的性能。集成的门驱动器可以在接近零V(DS)振铃的情况下进行100v /ns开关，等等;100纳斯限流自保护，防止意外击穿事件，过热关闭防止热失控，系统接口信号提供自我监控能力。