Diodes Incorporated ZABG4003、ZABG6003和ZABG6004是主要用于卫星低噪声块(lnb)的低功耗、可编程耗尽模式FET偏置控制器。该器件设计为提供系统灵活性，可编程偏置多达四个(ZABG4003)或六个(ZABG6003/ZABG6004)低噪声放大器(LNA)级。偏置控制器工作在最小的电流只有1毫安，可以工作在2.1 V至5.5 V的供电电压，使他们理想的低功耗设计。小封装和减少组件数量，最大限度地减少PCB面积，同时提高整体LNB可靠性。灵活的解决方案，使LNB设计者可以选择多种系统设计的解决方案，同时利用其先进的场效应晶体管保护，更高的性能，低电流运行。

特性和好处

• 灵活的解决方案，使LNB设计者可以选择多种系统设计的解决方案，同时利用其先进的场效应晶体管保护，更高的性能，低电流运行
• 可编程GaAs场效应晶体管LNA
  • 为GaAs和HEMT FET LNAs提供至多4或6个独立偏倚阶段
  • 独立用户可编程的LNAs和有源混合器漏极电流
• 工作电流小，电源范围宽，温度范围宽
  • 在-40°C至+105°C范围内运行2.1 V至5.5 V的导轨
  • 设计为3 V/3.3 V/5 V低功率LNBs
  • 允许对fet被关闭为智能LNB系统
• 小而灵活的解决方案
  • 最小的应用电路，同时允许系统的灵活性
  • 封装在小型3毫米x 3毫米QFN封装最小的PCB