德州仪器公司的LM5113设计用于同步降压或半桥配置驱动氮化镓(GaN)场效应晶体管的高侧和低侧增强模式。浮动高侧驱动器能够驱动高侧增强模式GaN场效应管工作高达100 V。高侧偏置电压使用自举技术产生，内部钳位为5.2 V，防止栅电压超过增强模式GaN fet的最大栅源电压额定值。LM5113的输入端是TTL逻辑兼容的，可以承受高达14 V的输入电压，不管V(DD)电压如何。LM5113具有分体式栅极输出，可灵活地独立调节开关强度。

此外，LM5113强大的吸收能力使栅极保持在低状态，防止了开关过程中的意外导通。LM5113可以工作到几兆赫。LM5113有标准的10针WSON封装和12凸点DSBGA封装。10针WSON包包含一个外露的垫，以帮助功耗。DSBGA封装提供了一个紧凑的足迹和最小的封装电感。