第三代沟槽型碳化硅mosfet - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > 第三代沟槽型碳化硅mosfet

ROHM Semiconductor

第三代沟槽型碳化硅mosfet

来源：HQBUY 发布时间：2021-02-05

摘要： ROHM的原始设计提供高耐压低导通电阻和快速开关速度

ROHM的3(rd)代SiC mosfet采用了专有的沟槽栅极结构，与现有的平面型SiC mosfet相比，降低了50%的导通电阻和35%的输入电容。这意味着显著降低开关损耗和更快的开关速度，提高效率，同时减少各种设备的功率损耗。

关键优势

低导通电阻提高逆变器功率密度
支持高速开关
寄生二极管的最小反向恢复特性
小Q(g)和寄生电容
消除寄生二极管传导造成的退化
兼容高温工作(T(jmax)=175°C)

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：HHR-450AB21，平顶，L-fat一个镍氢电池

下一篇：EG-2121CB/2102CB系列锯子振荡器

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308