Diodes Incorporated公司宣布推出齐纳二极管系列，封装在紧凑的SOD123F封装中。与传统的SOD123封装BZT52C系列相比，这种高性能、占地面积小、扁平引线封装具有更低的热阻(R西塔JA=150°C/W)，使其具有更高的功耗和更好的传热性能。

BZT52HCxxWF系列由32个齐纳二极管组成，齐纳标称电压范围为2.4 V至47 V。由于尖锐的齐纳击穿特性和大约±5%的电压容限，这些二极管对于精确的电压参考功能非常优秀。此外，一些器件的漏电流低至50na，大大提高了能源效率。该系列是NXP BZT52H-C系列的完全pin-for-pin、drop-in替代产品。

这些装置非常适合一般监管用途。SOD123F包是完全绿色和rohs兼容的。

特性

• 卓越的热传输特性:SOD123F扁平引线设计封装(3.5 mm x 1.8 mm典型)支持高功耗和提高稳定性。
• 电压容差好，漏电流小:电压容差为标称±5%，使电压变化保持在最小。漏电流低，低至50na，节能效果好。
• 齐纳电压的选择范围广:BZT52HCxxWF系列齐纳电压的选择范围大，范围从2.4 V到47 V，涵盖了大部分的设计规范要求。
• 低齐纳阻抗:具有低的齐纳阻抗额定值，这些二极管更稳定和准确。不论电流或负载如何，电压保持恒定。