Gen-4超结600v, 650v和800v DTMOS IV MOSFET系列

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Gen-4超结600v, 650v和800v DTMOS IV MOSFET系列

来源：HQBUY 发布时间：2021-02-07

摘要： 东芝的Gen-4，超结MOSFET系列的特点是由于使用单个外延过程，在高温下导通电阻增加较低

东芝开发了Gen-4超级结600v, 650v，和800v DTMOS IV MOSFET系列。使用最先进的单外延工艺制造的DTMOS IV与它的前辈DTMOS III相比，提供了30%的Ron·a减少，这是mosfet的优点(FOM)。Ron·A的减少使得在相同的封装中容纳较低的Ron芯片成为可能。这有助于提高效率和减小电源的尺寸。

特性
Ron·A比其(DTMOS III)减少30% 由于使用单一外延工艺，在高温下导通电阻的增加更低由于降低了开关损耗，Eoss与前一代(DTMOS III)相比降低了12%		可提供宽范围导通电阻，R(DS(ON)): 0.9欧姆至0.018欧姆(max) 各种包装选项通孔:TO-220、TO-220SIS、IPAK、I(2)PAK、TO-3P(N)、TO-3P(L)、TO-247 表面:DPAK, D(2)包
应用程序
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Ron·A比其(DTMOS III)减少30% 由于使用单一外延工艺，在高温下导通电阻的增加更低由于降低了开关损耗，Eoss与前一代(DTMOS III)相比降低了12%		可提供宽范围导通电阻，R(DS(ON)): 0.9欧姆至0.018欧姆(max) 各种包装选项通孔:TO-220、TO-220SIS、IPAK、I(2)PAK、TO-3P(N)、TO-3P(L)、TO-247 表面:DPAK, D(2)包
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