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Tagore Technology 高功率射频氮化镓开关

来源:HQBUY 发布时间:2021-01-26

摘要: Tagore Technology的10 W到30 W连续波宽带开关能够处理峰值功率(高达100 W峰值)



Tagore Technology的高功率RF GaN开关与控制器完全集成,使开关易于使用,使用3.3 V或5.0 V电源。与基于GaAS和SOI的开关相比,这些10 W到30 W的连续波宽带开关能够处理高峰值功率(高达100 W峰值),同时仍然提供低插入损耗和高隔离。


特性
  • 低插入损耗
  • 高的隔离
  • 与GaAs或SOI相比,高峰值功率处理(高达100 W峰值)
  • 热转换能力

  • 多用途电压2.6 V至5.5 V
  • 宽带性能高达7ghz
  • 小包装
    • 3毫米x3毫米QFN
    • 4毫米x4毫米QFN

应用程序
  • 基础设施
  • Mil无线电通信

  • 接收机保护
  • 调优过滤器/天线
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