Vishay公司的IGBT电源模块结合了超高速沟槽IGBT、高效HEXFRED和FRED Pt二极管技术，以及热敏电阻，采用压配技术的单个封装，易于进行热管理。Vishay半导体模块提供完整的集成解决方案，基于三电平中立点箝位(NPC)拓扑和交错、多通道、最大功率点跟踪(MPPT)升压转换器。

凭借其集成设计，今天发布的这些设备帮助设计师缩短了上市时间，并提高了整体系统性能。对于三级NPC拓扑，VS-ENQ030L120S提供了1200 V的集电极-发射极击穿电压和30 a的集电极电流。VS-ETF075Y60U和VS-ETF150Y65U为三电平逆变器级提供了75 a和150 a的额定集电极电流，分别具有600 V和650 V的集电极-发射极击穿电压，并提供175°C的高温性能。为双boost转换器优化，15 A VS-ETL015Y120H具有集电极-发射极击穿电压1200 V，高效硅boost二极管，集成62 A旁路二极管，面板短路，全电流，反极性保护二极管。所有设备都提供模块化和可扩展的设计，以适应更高的功率级应用

在EMIPAK-1B (VS-ENQ030L120S)和EMIPAK-2B (VS-ETF075Y60U, VS-ETF150Y65U和VS-ETL015Y120H)封装中，电源模块的无焊压配技术可以方便的PCB安装，而一个暴露的DBC基板可以实现低热阻。该器件提供低的内部电感和开关损耗，同时提供高达20 kHz的工作频率。模块优化的布局有助于减少杂散参数，获得更好的电磁干扰性能。

符合rohs的设备是ul批准的(文件E78996) (VS-ENQ030L120S审批待定)。Vishay的电源模块符合行业标准，可以定制解决方案，以满足特定的应用需求。