英飞凌CoolSiC第5代，1200 V, 10 A肖特基二极管可在D2PAK real 2引脚封装。通过在小型器件封装中并联SiC二极管，可以实现高效系统，同时最小化电路板空间要求。消除了中间引脚，减少了高压和高频操作时局部放电的风险。

特性

• 零O(RR)导致没有反向恢复损失
• 高浪涌电流能力
• 真正的2针封装4.7毫米漏电和4.4毫米间隙距离
• 正向紧电压分布
• 不依赖于温度的转换行为
• 低正向电压
• 在紧凑的设计中实现更高频率/更高功率密度
• 系统尺寸/成本节省，因为减少散热器的要求和更小的磁性
• 降低表面局部放电的风险(真正的2针)
• 通过Si二极管提高系统效率
• 系统的可靠性提高
• 减少电磁干扰
• 符合RoHS II标准(无铅模具附件)

资源

• 肖特基二极管SiC CoolSiC设计规则
• 1200 V G5 CoolSiC肖特基二极管简介
• CoolSiC肖特基二极管600v 650v 1200v G5可靠性考虑
• CoolSiC肖特基二极管600v 650v 1200v G5 SMPS电路设计
• CoolSiC技术