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ADI LT4275 / LT4276 LTPoE + +控制器

来源:HQBUY 发布时间:2021-01-29

摘要: 用于信息显示、安全和无线数据系统的模拟设备的PoE控制器



Analog Devices的LT4275和LT4276是IEEE 802.3和LTPoE++供电设备(PD)控制器。LT4275A采用专有的LTPoE++分类方案,在PD RJ45连接器上提供38.7 W、52.7 W、70 W或90 W的功率。LT4275A完全兼容IEEE 802.3。LT4275B是一款符合IEEE 802.3at标准的2型(PoE+) PD,输出功率可达25.5 W。LT4275C是一款符合IEEE 802.3af标准的type 1 (PoE) PD,输出功率高达13 W。


LT4275内部电荷泵提供了一个n通道MOSFET解决方案,消除了一个更大和更昂贵的p通道MOSFET。低R(DS(ON)) MOSFET也能最大限度地提高功率传输和效率,减少功率和散热,并简化热设计。启动涌流可通过外部电容调节。LT4275还包括功率良好输出、板上签名电阻、欠压锁定和热保护。LT4275A/LT4275B驱动单个光耦合器来指示所附PSE的功率水平。可选针支持非标准低压运行提供。辅助电源覆盖支持辅助管脚。


LT4276包括一个隔离开关调节器控制器,能够在具有辅助电源支持的正向和反激拓扑结构中同步运行。LT4276A采用LTPoE++分类方案,在PD RJ45连接器上接收38.7 W、52.7 W、70 W或90 W的功率,向后兼容IEEE 802.3。LT4276B是一个完全802.3at兼容,25.5 W type 2 (PoE+) PD。LT4276C是一个完全802.3af兼容,13 W type 1 (PoE) PD。LT4276支持前向和反向电源拓扑,可为各种PoE应用进行配置。反激拓扑支持无光电反馈。辅助输入电压可以准确地感知,只需一个电阻分压器连接到辅助引脚。LT4276采用外部,低R(DS(ON)) n通道MOSFET热交换功能,最大限度地提高功率输送和效率,减少散热,简化热设计。LT4275和LT4276是信息显示、安全和无线数据系统的理想选择。







LT4275特性
LT4276特性
  • IEEE 802.3af/at和LTPoE++ PD控制器
  • LTPoE++支持功率高达90w
  • LT4275A支持所有以下标准:
    • LTPoE++ 38.7 W, 52.7 W, 70 W, 90 W
    • IEEE 802.3at 25.5 W兼容
    • ieee802.3 af高达13 W兼容
  • LT4275B是IEEE 802.3at/af兼容
  • LT4275C是IEEE 802.3af兼容
  • 100 V绝对最大输入电压
  • 宽结温度范围(-40°C至+125°C)
  • 超温保护
  • 集成签名电阻器
  • 外部热插拔n通道MOSFET具有最低的功耗和最高的系统效率
  • 可编程aux电源支持低至9v
  • 可选配非标准低压PoE

  • IEEE802.3af/at和LTPoE++ 90 W PD带正/反激控制器
  • LT4276A支持以下所有标准:
    • LTPoE++ 38.7 W, 52.7 W, 70 W, 90 W
    • IEEE 802.3at 25.5 W兼容
    • ieee802.3 af高达13 W兼容
  • LT4276B是IEEE 802.3at/af兼容
  • LT4276C是IEEE 802.3af兼容
  • 卓越的浪涌保护(100 V绝对最大值)
  • 宽结温度范围(-40°C至+125°C)
  • 辅助电源支持低至9v
  • 反激运行不需要光隔离器
  • 外部热插拔n通道MOSFET具有最低的功耗和最高的系统效率
  • 94%的端到端效率与LT4321理想桥接
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