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摘要： 意法半导体mosfet结合了优化的电容分布和寿命抑制过程
意法半导体MDmesh DM6 MOSFET系列产品结合了优化的电容配置和寿命抑制过程，使得栅极电荷(Q(g))较低，恢复电荷(Q(rr))较低，恢复时间(t(rr))较低，每个区域的R(DS(ON))有显著改善。MDmesh DM6 MOSFET系列是当今全桥和半桥拓扑的参考。
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