碳化硅肖特基二极管

来源：HQBUY 发布时间：2021-01-20

摘要： 利用半导体上的碳化硅(SiC)二极管设计下一代电源系统

在半导体的碳化硅(SiC)肖特基二极管使用一种全新的技术，提供优越的开关性能和更高的可靠性的硅。无反向恢复电流，温度独立开关特性，以及优异的热性能集碳化硅为下一代功率半导体。系统的好处包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、减少电磁干扰、减少系统尺寸和成本。ON Semiconductor提供650 V和1200 V器件的一系列电流和封装选项，在效率和功率密度方面推动下一代电力系统设计的极限。

特性		应用程序
没有反向Q(RR)恢复，没有向前恢复低VF(低传导损耗) 温度范围内泄漏稳定性开关特性与温度无关更高的浪涌和雪崩能力正温度系数更高的操作温度(T (JMAX) = 175°C)		太阳能光伏逆变器功率因数校正器(PFC) 电动/混合动力汽车充电器不间断电源电信和服务器电源

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