ON Semiconductor在20世纪90年代早期帮助开创了沟道MOSFET，他们从那时起就一直在完善MOSFET技术和制造，开发了数千种适用于任何应用的产品组合。

ON Semiconductor公司的FDMS86181先进的100 V屏蔽栅功率沟槽MOSFET是这个丰富家族中最新的，在其同类产品中目前是最低的R(DS(ON))和Q(rr)和最快的反向恢复，同时提供最高的效率。FDMS86181几乎没有电压过冲，减少了电压振铃，并提高了应用中需要100 v额定MOSFET的电源和电机驱动器的电磁干扰。它增加的功率密度允许更宽的MOSFET降级，因此设计者不必过度设计。

FDMS86181是一个家庭的第一个多电压和封装选项即将到来。