意法半导体STGWA60V60DWFAG汽车级沟槽栅场阻igbt

来源：HQBUY 发布时间：2021-01-22

摘要： 意法半导体公司的汽车级沟道栅极场阻600 V, 60 A非常高速igbt具有自由旋转的SiC二极管

意法半导体公司的STGWA60V60DWFAG是一种IGBT，采用先进的沟槽栅场阻结构。该器件是V系列igbt的一部分，它代表了传导和开关损耗之间的最佳折衷，以最大限度地提高非常高频转换器的效率。此外，正的V(CE(sat))温度系数和非常紧密的参数分布使并联运行更安全。采用了与IGBT共封装的碳化硅二极管:在SiC二极管的关断处没有显示恢复，并且已经最小的电容关断行为与温度无关。其高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的鲁棒性。

特性

AEC-Q101合格
最大结温:T(J)=175°C
V(CE(sat)) = 1.85 V(typ.) at I(C) = 60 A
采用开关电流
严格的参数分布

低的热阻
正V(CE(sat))温度系数
无反向恢复电荷的碳化硅二极管，自由组合封装

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