ON Semiconductor的汽车mosfet可提供一系列的封装选项，包括到无铅和DPAK。该器件提供了紧凑和高效的解决方案，具有高功率密度和降低传导损耗。

80v汽车mosfet:
ON Semiconductor家族的80 V汽车合格mosfet提供高功率密度和稳健性，解决了48 V系统的尺寸和效率需求。先进的硅和封装技术相结合，以提供极低的R(DS(ON))，改进的性能指数(FOM)，和更低的功耗，以应对不断变化的效率标准。在半导体的功率沟槽mosfet与屏蔽门技术已经导致非常低的开关损耗，而不需要外部缓冲器。

100v汽车mosfet:
ON Semiconductor的100 V功率mosfet家族可在5毫米x 6毫米SO-8FL封装设计紧凑和高效设计具有高热性能。该器件提供一流的FOM，使高效率和低功耗。

无铅封装中的功率沟槽mosfet:
TO-LL技术提供了极低的设备电阻，占地面积，并支持特殊的电磁干扰行为。这种技术现在提供一系列电压选项，专门设计和合格的汽车应用。

ON Semiconductor最新的PowerTrench屏蔽栅沟槽技术与TO-LL封装的结合，使得ON Semiconductor的无铅MOSFET产品具有低R(DS(ON))。此外，优越的硅技术和封装设计导致优良的开关和EMI性能。与其他分立封装相比，在大电流应用中需要并行mosfet的数量可以显著减少，如果不消除，导致整体系统成本更低。