Alliance Memory的高速移动CMOS双数据速率同步dram (DDR SDRAM)旨在提高紧凑型便携设备的效率和延长电池寿命。具有从1.7 V到1.95 V的低功耗和一些省电功能，提供8mm x 9mm 60-ball和8mm x 13 mm 90-ball FPBGA封装的256 MB、512mb、1gb和2gb设备。AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1，和AS4C64M32MD1提供了可靠的插入式，pin- to -pin兼容的替代方案，用于一些类似的解决方案在高带宽，高性能的内存系统应用。