IXYS LLC，现在Littelfuse的一部分，推出了一个新的功率半导体产品线:300 V超结x3级HiPerFET功率场效应管。其导通电阻和门电荷分别低至4.6毫欧姆和22纳米欧姆，可用于硬开关和软开关电源转换应用。

与IXYS公司的其他超结产品一样，这些新器件采用了电荷补偿原理和专有工艺技术开发，从而使功率mosfet具有一流的优点(导阻时间栅极电荷)。它们表现出业界最低的导通电阻(例如，TO-264封装的导通电阻为5.5毫欧姆，SOT-227的导通电阻为4.6毫欧姆)，使电力系统的功率密度和能源效率达到最高。

快速体二极管具有超低反向恢复电荷和时间，能够在高速开关过程中去除所有剩余的能量，避免器件故障，实现高效率。此外，新的mosfet显示优越的dv/dt性能(高达20 V/ns)和雪崩能力。因此，这些坚固的设备需要较少的缓冲，并可用于硬开关或谐振功率转换器。

目标应用包括电信电源的同步整流，电机控制(48v到110v系统)，不间断电源，高性能d类音频放大器，DC-DC转换器，太阳能逆变器和多电平逆变器。

目前有25个部件可用，这是业内最广泛的300 V超结MOSFET产品线。它们封装在以下国际标准尺寸封装中:TO-3P, TO220(模塑或标准)，TO-247, PLUS247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268HV, SOT227。一些示例部件编号包括IXFY26N30X3、IXFA38N30X3、IXFT150N30X3HV和IXFN210N30X3，当前额定值分别为26 A、38 A、150 A和210 A。

资源

• 300V x3级功率mosfet产品简介