Alliance Memory高速CMOS DDR sdram

来源：HQBUY 发布时间：2021-01-26

摘要： Alliance Memory推出了AS4C32M8D1/16D1和AS4C64M8D1/16D1高速CMOS DDR sdram

Alliance Memory的AS4C32M8D1 AS4C32M16D1A、AS4C64M8D1 AS4C64M16D高速CMOS双数据速率同步后发展出256 MB (DDR SDRAM)功能密度,512 MB,和1 GB,分别增加了现有DDR1的64组合(4 M x 16) / (2 M x 32)和128 (8 M x 16) / (4 M x 32)密度的产品。这些设备提供了可靠的插入式、对对对兼容的替代方案，用于需要高内存带宽的工业、医疗、通信和电信产品中的许多类似解决方案，它们特别适合于PC应用中的高性能。

特性和好处
提供60球8毫米x 13毫米x 1.2毫米TFBGA封装和66针TSOP II封装0.65毫米管脚间距内部配置为四个银行32M字x 8位(AS4C32M8D1)， 64M字x 8位(AS4C64M8D1)，和64M字x 16位(AS4C64M16D1)的同步接口适用于商业(0°C至+70°C)和工业(-40°C至+85°C)温度范围可编程的读或写突发长度2,4，或8		自动预充功能提供自定时的行预充，在爆发序列结束时启动易于使用的刷新功能包括自动或自我刷新可编程模式寄存器允许系统选择最合适的模式，使性能最大化快速时钟速率200兆赫和166兆赫从单电源+2.5 V(±0.2 V)操作铅(Pb)和无卤

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