
ISSI的4 Gb DDR4设备组织为256 Mb x 16,封装在一个96球BGA中,工作在1.2 V。ISSI的DDR4提供了前沿网络、汽车和工业系统所需的低功耗、高带宽、高性能和高可靠性。这是ISSI提供的第一个DDR4 DRAM,并为ISSI提供了广泛的DRAM选择。ISSI正在为DDR4提供汽车、工业、通信和其他细分市场的客户应用所需的长生命周期产品支持。
特性
- 标准电压:V(DD) = V(DDQ) = 1.2 V, V(PP) = 2.5 V
- 数据完整性
- 自动自动刷新(ASR)由DRAM内置的TS
- 自动刷新和自动刷新模式
- DRAM访问带宽
- 通过银行组分离IO门控结构
- Self-refresh中止
- 细粒度更新
- 可靠性和错误处理
- 命令/地址奇偶校验
- 数据总线写入CRC
- MPR读出
- 边界扫描
- 省电高效
- 带V(DDQ)终止的POD
- 命令/地址延迟(CAL)
- 最大限度的节能
- 低功耗自动自动刷新(LPASR)
- 信号同步
- 信号的完整性
- 内部V (REFDQ)培训
- 读序言培训
- 减速模式
- 每DRAM可寻址能力
- 可配置的DS系统兼容性
- 可配置on-die终止
- 数据总线反演(DBI)
- 通过外部ZQ焊盘校准DS/ODT阻抗精度(240欧姆±1%)
- 操作温度范围
- 商用(Tc = 0°C至+95°C)
- 工业(Tc = -40°C至+95°C)
- 汽车,A1 (Tc = -40°C至+95°C)
- 汽车,A2 (Tc = -40°C to +105°C)
- 汽车,A3 (Tc = -40°C to +125°C)
- 电信/网络
- SDN和NFV
- 存取和聚合节点
- 交换机和路由器
- 包光学传输
- 网络存储(PON OLT、DSLAM、CMTS和无线)
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