Alliance Memory的高速CMOS, double-data-rate 3同步dram而言(DDR3 SDRAM)和低压,DDR3L内部功能密度1 GB, 2 GB, 4 GB和8 g在78年球,9毫米x 10.5毫米1.2毫米和96 -球,9毫米x 13毫米x 1.2毫米,FBGA包。DDR3 (1.5 V)和DDR3L (1.35 V) SDRAMs提供了可靠的插入式、pin- to -pin兼容替代方案，用于与新一代微处理器相结合的许多类似解决方案，消除了昂贵的重新设计和部件重新校准的需要。

特性

• 内部配置为八个银行64米，128米，256米，512米和1G x 8位和/或16位
• 电源:
  • +1.5 V(±0.075 V) (AS4C64M16D3, AS4C128M8D3, AS4C128M16D3, AS4C256M8D3, AS4C256M16D3, AS4C512M8D3 DDR3 SDRAMs)
  • +1.35 V (AS4C64M16D3L, AS4C128M8D3L, AS4C256M8D3L, AS4C256M16D3L, AS4C512M16D3L, AS4C512M16D3L, AS4C1G8MD3L)
• 提供78球和96球FBGA包
• 双数据速率3架构的极快传输速率高达1600 Mbps / pin和时钟速率为800 MHz
• 增强的，协作的，共存的算法
• 可用于0°C至+95°C的商业(扩展)温度范围和-40°C至+95°C的工业温度范围
• 完全同步操作
• 可编程的读或写爆发长度为4或8
• 自动预充功能提供了自动定时排充，预充是在连续结束后启动的
• 易于使用的刷新功能包括自动或自我刷新
• 通过无铅认证
• 铅(Pb)和无卤
• 可编程模式寄存器允许系统选择最合适的模式，使性能最大化