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意法半导体ESDA22P150-1U3M 20 V高压瞬态电压抑制器

来源:HQBUY 发布时间:2021-01-14

摘要: 意法半导体ESDA22P150-1U3M保护USB充电电路,提高设备的鲁棒性和寿命



意法半导体ESDA22P150-1U3M能够吸收高达150 A的峰值脉冲电流,始终将夹紧电压与工作电压比保持在2以下。例如,20 V的电源线在瞬态事件(IEC61000-4-2 ESD和IEC-61000-4-5 surge)期间永远不会面临超过35 V的过电压。ESDA22P150-1U3M节省了PCB上的空间,因此用户可以集成更多的功能或进一步小型化设备。封装在2.0 mm x 2.0 mm的封装中,最大厚度0.6 mm是平面设备的理想选择。

特性

  • 低夹紧电压35 V
  • 脉冲峰值功率:4500 W(8/20μ年代)
  • 隔离电压20 V
  • 单向二极管
  • 低漏电流:0.25μ25°C
  • 小而薄的包装尺寸:2.0 mm x2.0 mm x0.55 mm

好处
  • 目前业界最高的涌电电流性能是2.0 mm x 2.0 mm DFN封装

  • 超过IEC61000-4-2 4级

应用程序
  • 智能手机、移动电话、平板电脑、便携式多媒体
  • USB V(总线)的保护

  • USB功率输出
  • 直流电源保护
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