Microsemi宣布发布1200 V, 10 A和20 A SiC肖特基势垒二极管产品与30 A和50 A SiC二极管即将推出。雪崩能量高出20% / ui评级与SiC竞争者,高重复性的冲击电流强度,和固有的SiC效率和系统成本优势在硅二极管,Microsemi碳化硅二极管是电气化的理想应用PFC和输出高压戊肝病毒/电动汽车充电站的整流模块、车载充电器、直流-直流转换器,能量回收系统,开关模式电源。

SiC SBD优于Si二极管

• 在较高的电压(> 650v)和较高的开关频率下的效率
• 更低的正向电压(V(F))，以更低的静态损耗和更高的能源效率
• 低电磁干扰从几乎没有反向恢复充电(Q(rr))在硬开关期间
• 在更高温度下稳定运行(+175°C)
• 在相同的物理尺寸和更低的成本(更小的磁性和过滤，更少的冷却/散热片成本等)下，增加超过25%的输出功率的系统效率。