意法半导体600v MDmesh DM2 mosfet的介绍及特性

来源：HQBUY 发布时间：2021-01-15

摘要： 意法半导体提供其600v MDmesh DM2 mosfet用于工业应用，具有非常低的恢复电荷(Q(rr))和恢复时间(t(rr))，是针对需要高开关性能的高压全桥和半桥拓扑进行优化。

意法半导体STMicroelectronics最新的高效率快速恢复二极管MOSFET系列具有非常低的恢复电荷(Q(rr))和恢复时间(t(rr))，是针对需要高开关性能的高压全桥和半桥拓扑进行优化。这些600 V器件还具有超低Qg、极低的Coss / Ciss、极低的导通电阻和高dv/dt强度。

关键特性
身体快速恢复二极管极低的门电荷和输入电容低导通电阻极低的恢复费用(Q(rr))和恢复时间(t(rr))		100%雪崩测试极高的dv/dt强度 Zener-protected

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号