东芝采用先进技术实现行业领先的低R(ON)特性。东芝提供行业标准的2mm x 2mm和2.9 mm x 2.8 mm封装，为mosfet提供低损耗和紧凑的尺寸，这是智能手机和可穿戴设备等电池驱动设备所需的。

东芝采用先进的沟槽工艺，缩小其电池结构，以实现行业领先的低R(ON)。最新一代沟槽工艺Pch7和Nch9与老一代工艺相比，成功地将单位面积上的通阻降低了70%。对降低导通损耗是有效的。

低损耗和紧凑的半导体器件在电力供应系统和移动应用(如快速充电和USB PD)中降低功耗是必不可少的。例如，SSM6K513NU是采用东芝先进技术的MOSFET，在实际机器测试中，假设供电电流为5 a，与竞争对手相比，SSM6K513NU实现了极低的导通电阻，并降低了因传导损耗引起的温度上升27%。