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英飞凌碳化硅CoolSiC mosfet和二极管的介绍及特性

来源:HQBUY 发布时间:2021-01-12

摘要: 英飞凌的mosfet和二极管具有具有竞争力的价格-性能比,短的交货期和可靠的长期供应;英飞凌的CoolSiC肖特基二极管提供了相对较高的通态电阻和泄漏电流。



英飞凌的CoolSiC肖特基二极管提供了相对较高的通态电阻和泄漏电流。在SiC材料中,肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。该组合包括CoolSiC肖特基二极管、CoolSiC混合模型、CoolSiC MOSFET模块和分立器件,以及用于驱动碳化硅器件的eicdriver栅极驱动芯片。


英飞凌的SiC肖特基产品组合涵盖600v和650v至1200v肖特基二极管。快速硅基开关与酷派肖特基二极管的组合通常被称为混合解决方案。近年来,英飞凌生产了数百万个混合动力模块,并安装在各种客户产品中,如太阳能和UPS。CoolSiC mosfet基于最先进的trench概念,设定了一个基准,允许应用中的低损耗和高可靠性的运行。


特性
  • 卓越的栅极氧化物可靠性
  • 稳定,坚固的体二极管
  • 擅长软开关拓扑,如电动汽车充电
    • 最低的开关损耗,易于设计
    • 可采用0伏开关

  • 擅长硬开关拓扑,如伺服驱动
    • 切换速度快时,开关损耗小
    • 易于设计——由于抗寄生开关效应的健壮性
    • 额定短路3μ年代
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