针对Cree CGD15SG00D2栅极驱动板的性能特点，设计了相应的驱动板 (rd)一代(C3M)SiC mosfet。该CGD15SG00D2驱动板具有爬电增强槽，2W隔离电源，共模电感，5000V (AC)隔离额定光耦，9mm爬电增强槽。爬电增强槽存在于PCB的逻辑侧和功率侧之间。这种CGD15SG00D2板提供接通和接通信号，可以通过单独的栅通和关断电阻轻松优化。逻辑电源输入侧的共模电感提供了增强的电磁干扰(EMI)抗扰能力。

特性

• 支持3(rd)代(C3M) SiC mosfet

• 9mm爬电增强槽

• 蠕动加强沟

• 5000V(AC)隔离额定光耦

• 2W隔离电源

• 共模电感

• 独立的门通和门关电阻，以优化门信号

CGD15SG00D2门驱动板框图

门驱动板原理图