摘要: 安森美半导体NTMFS5H419NL 40V 150A n通道功率MOSFET是一种单通道MOSFET,提供低开阻、低栅电荷和低电容。这些特性使传导损耗最小化,并提供优越的开关性能。NTMFS5H419NL功率MOSFET提供了一个紧凑的
安森美半导体NTMFS5H419NL 40V 150A n通道功率MOSFET是一种单通道MOSFET,提供低开阻、低栅电荷和低电容。这些特性使传导损耗最小化,并提供优越的开关性能。NTMFS5H419NL功率MOSFET提供了一个紧凑的5mm x 6mm DFN-5封装,理想的空间受限的应用。
漏源极电压(V(DSS)): 40V
低R(DS(on))以减少传导损耗
R (DS(上)最大)
@10V: 2.1欧姆
@4.5V: 3.1欧姆
I(D)最大:155
低Q(G)和电容,以减少驱动器损耗
工作结和存储温度范围(T(J), T(stg)): -55°C到+ 150°C
包装类型:DFN-5
包装尺寸:5mm x 6mm
Pb-free,通过无铅认证
加载点模块
高性能DC-DC变换器
二次侧同步整流
直流电机驱动
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