ISSI伪SRAM/蜂窝存储器设备提供了最好的DRAM和SRAM特性。ISSI PSRAM/CellularRAM具有类似sram的架构。与DRAM不同，它有一个隐藏的不需要物理刷新的更新功能。这些cell - arram设备是按照cell - arram标准设计的，在CRAM 1.5和CRAM 2.0中都可以使用。

ISSI伪SRAM/CellularRAM设备为不同的应用需求提供快速访问、异步、页面和突发功能。这些设备支持低电压，降低总体功耗，使它们成为低功耗、便携应用的理想选择。ISSI伪SRAM/CellularRAM可用于商业、工业和汽车工作温度范围内的设计灵活性。

特性

• 可提供8Mb、16Mb、32Mb和64Mb密度

• 支持异步、页面和突发特性

• BGA或KGD包类型

• 双电压导轨可选性能

• 高速存取时间

• Burst模式的读写操作

• 低功耗

• 可提供工业、商业和汽车温度范围

应用程序

• 移动

• 工业

• 汽车

• 电信

• 网络