Bourns SMF4L-Q暂态电压抑制二极管的介绍、特性、及应用
摘要:
柏恩斯
SMF4L-Q瞬态电压抑制二极管是浪涌和ESD保护应用的理想器件,均采用SOD-123FL大小的紧凑芯片封装。AEC-Q101柔性瞬态电压抑制元件提供了从12V到58V的工作峰值反向电压的选择。从0V到击穿电压,典型的快速响应时间...
柏恩斯
SMF4L-Q瞬态电压抑制二极管是浪涌和ESD保护应用的理想器件,均采用SOD-123FL大小的紧凑芯片封装。AEC-Q101柔性瞬态电压抑制元件提供了从12V到58V的工作峰值反向电压的选择。从0V到击穿电压,典型的快速响应时间小于1.0皮秒。其他特性还包括-55°C到+150°C的工作和存储温度,400W的功耗和50A的峰值正向浪涌电流。柏恩斯
芯片二极管符合JEDEC标准,易于处理与标准挑选和放置设备,扁平配置最大限度地减少滚动。
规范
- 僵持电压:12V ~ 58V
- 工作/存储温度范围:-55°C ~ +150°C
- 功耗:400 w
- 峰值正向浪涌电流:50A
- 湿度敏感性等级:1
- ESD分类(HBM): 3B
- 材料
- 模压塑料符合UL等级94V-0
- 极性:阴极带表示单向器件
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