Alliance Memory J3系列Numonyx 嵌入式闪存利用高质量和可靠的基于nor65nm技术提供改进的性能和安全特性。这些闪存提供75ns的初始访问速度，25ns 8字异步页面模式读取，以及1.41μs /字节的有效编程时间。J3闪存功能增强的安全选项，代码保护，个人块锁定，块擦除/程序锁定在电源转换期间，和绝对保护与V(笔)=V(SS)。这些闪存使用软件，提供程序和擦除暂停支持，Numonyx闪存数据集分器(FDI)，可扩展的命令集，并与通用闪存接口(CFI)兼容。J3闪存有56导程TSOP和64球Easy BGA封装，可在-40°C至85°C的温度范围内运行。这些闪存有128兆、64兆和32兆的密度。典型的应用包括网络、电信、数字机顶盒、音频录制和数字成像。

特性

• 体系结构:

• 对称的128 kb的块

• 128 mbit(128块)

• 64 mbit(64块)

• 32兆比特(32块)

• 空白检查以验证已擦除的块

• 性能:

• 初始访问速度75ns

• 25ns 8字异步页面模式读取

• 256字写入缓冲区x16模式

• 256字节的x8模式写缓冲区

• 1.41μs /字节有效编程时间

• 安全:

• 64位OTP位，用Numonyx编程的唯一信息

• 64 OTP位，可用于客户编程

• 增强的代码保护安全选项

• VPEN=VSS绝对保护

• 个体块锁

• 在电源转换期间阻止擦除/程序锁定

• 密码访问功能

• 一次性可编程(OTP)寄存器:

• 软件:

• 程序和删除暂停支持

• Numonyx Flash Data Integrator(FDI)

• 通用Flash接口(CFI)兼容

• 可伸缩的命令集

• 系统电压:

• 2.7 v (CC)到3.6 (CC)

• 2.7 v (CCQ) 3.6 v (CCQ)

• 质量和可靠性:

• 工作温度范围:-40°C ~ 85°C

• 100K每个块的最小擦除周期

• 65海里flash技术

• JESD47E兼容

• 包装:
  

• 56领先TSOP

• 64球轻松BGA包

规范

• 性能:

• 初始访问速度75ns

• 25ns 8字异步页面模式读取

• 256字写入缓冲区x16模式

• 256字节的x8模式写缓冲区

• 1.41μs /字节有效编程时间

• 系统电压:

• 2.7 v (CC)到3.6 (CC)

• 2.7 v (CCQ) 3.6 v (CCQ)

• 质量和可靠性:

• 工作温度范围:-40°C ~ 85°C

• 100K每个块的最小擦除周期

• 65海里flash技术

• JESD47E兼容

应用程序

• 网络

• 电信

• 数字机顶盒

• 录音

• 数码影像

框图

J3 65nm SBC内存映射