意法半导体EVALSTGAP2HSM栅驱动演示板可以评估STGAP2HSM的所有特性，同时驱动额定电压高达1200V的半桥电源级，采用to -220或to -247封装。栅极驱动器的特征是4A电流能力和轨到轨输出。这一特性使门极驱动器也适用于大功率逆变器应用，如工业应用中配备MOSFET / IGBT功率开关的电机驱动器。分离的源和汇输出允许用户使用专用的栅极电阻独立地优化开启和关闭。

该设备集成了保护功能，如UVLO和热关闭，包括易于设计高可靠性系统。双输入引脚可选择控制信号的极性，并实现HW联锁保护，避免控制器故障时发生交叉导电。该器件允许实现负栅驱动，板载隔离DC-DC变换器允许在MOSFET/IGBT的优化驱动电压下工作。意法半导体的EVALSTGAP2HSM可以方便地选择和修改相关外部组件的值，从而简化不同应用条件下的驱动性能评估，并对最终应用组件进行微调。

特性

• 董事会

• 高电压导轨可达1200V

• 非门驾驶

• 板载隔离DC-DC变换器提供高侧和低侧栅驱动器，VAUX = 5V馈电，最大隔离5.2kV

• 3.3V V(DD)逻辑电源板载或5V(外接)

• 驱动电压配置:+15/0V;+ 15/-3 v;+ 19/0V;+ 19/-3 v;

• 设备

• 4A源/汇@ 25°C驱动电流能力

• 单独的汇和源，便于闸门驱动配置

• 6000 v电隔离

• 75ns短传播延迟

• UVLO函数

• 栅极驱动电压高达26V

• 3.3V, 5V TTL/CMOS输入带迟滞

• 关闭温度保护

• 备用功能

板布局