Alliance Memory AS4C DDR4同步动态随机存取存储器(SDRAM)是一种高速动态随机存取存储器。DDR4 sdram采用8n预取架构，实现高速运行。这种8n预取架构与一个接口相结合，设计用于在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。这些AS4C DDR4 sdram提供写和读级别以及自刷新模式。sdram具有1.2V伪开路漏接口，数据频闪前导训练，最大的省电和命令/地址延迟(CAL)。这些设备的工作温度范围为:商业温度范围0℃~ 95℃，工业温度范围-40℃~ 95℃。

特性

• 1.2 v pseudo-open-drain接口

• 8 n预取架构

• 内部VREFDQ培训

• 可编程数据频闪导言

• 数据频闪导言训练

• 命令/地址延迟(CAL)

• 多用途寄存器读写能力

• 写和读调平

• 自动刷新和自刷新模式

• 低功耗自动自刷新(LPASR)

• 自动自刷新(ASR)由DRAM内置的TS

• 细粒度更新

• 自I刷新中止

• 最大限度的节能

• 输出驱动校准

• 可配置的模内终止(ODT)

• 数据总线的数据总线反转(DBI)

• 命令/地址(CA)平价

• 数据写循环冗余校验(CRC)

• Per-DRAM可寻址能力

• 连通性测试

规范

• 8 g比特密度

• 组织:
  

• 64M字x 16位x 8银行(AS4C512M16D4)

• 包:
  

• x8的78球FBGA / x16的96球FBGA

• 无铅(符合RoHS要求)和无卤素

• 电源:
  

• V(DD)， V(DDQ) = 1.2V±60mV

• V(PP) = 2.5V和-125mV/250mV

• 2133 mbps / 2400 mbps / 2666 mbps的数据率

• X8的页面大小为1KB, X16的页面大小为2KB

• 刷新周期(平均刷新周期):
  

• 7.8μs在-40℃≤Tc≤85℃时

• 3.9μs在85°C <Tc≤95°C

• 工作箱温度范围:
  

• 商用Tc = 0℃~ 95℃

• 工业用Tc = -40°C至95°C