Alliance MemoryAS5F系列串行外设接口(SPI) NAND闪存是具有标准并行NAND的单级Cell (SLC) NAND的存储器设备。这些器件工作在1.8V到3V，密度从1Gb到8Gb，高速时钟频率高达120MHz。AS5F SPI NAND闪存设备提供了更高的可靠性，更快的启动速度，并在更小的形式因子中提供超过60,000个写入和删除周期。这些器件为嵌入式系统的高密度非易失性存储解决方案提供了低成本和低引脚数的替代SPI-NOR解决方案。AS5F SPI NAND闪存设备具有64页一次性可编程保护，每一页包含一个数据存储区域和一个备用区域。数据存储区用于存储用户编程的数据，备用区通常用于内存管理和错误纠正功能。

AS5F SPI NAND闪存设备性能提升，满足多媒体数据存储应用和人工智能(AI)实现的需求。这些设备非常适合用于Wi-Fi路由器的芯片组、移动设备、xDSL/xPON技术、数据卡、IP摄像机、机顶盒、数字电视、智能家庭设备等。SPI NAND闪存设备工作在-40°C至85°C的温度范围，并提供25mA读取/程序电流和30mA擦除电流。AS5F闪存设备支持标准、双和四轴SPI操作，并在铅(Pb)和无卤素LGA 8引脚封装中提供。

特性

• 单级Cell (SLC) NAND闪存

• 工作电压支持:
  

• VCC: 3.3V (3.0V至3.6V)

• VCC: 1.8V (1.7V ~ 1.98V)

• 时钟频率:
  

• 高达120MHz(适用于VCC 3.3V)

• 高达100MHz(适用于VCC 1.8V)

• SPI:
  

• 标准:SCLK, cs#， SI, SO, WP#， HOLD#

• 双重:SCLK, cs#， SIO0, SIO1, WP#和HOLD#

• 四:SCLK, cs#， SIO0, SIO1, SIO2，和SIO3

• ECC保护:
  

• 8位ECC，每512bytes + 32bytes

• 每个512bytes + 16bytes的4bit ECC

• 包装(不含Pb和卤素):
  

• 8-pin LGA-8 (8mm x 6mm x 0.8mm)

• OTP保护:
  

• 一次可编程64页

• 性能(典型的):
  

• 600µ年代页面计划时间

• 70µ年代页面大小2 k页面读取时间

• 140µ年代页面大小4 k页面阅读时间

• 3ms块擦除时间

• 当前操作:
  

• 25mA读取操作电流

• 25mA程序运行电流

• 30mA擦除操作电流

• 最大待机电流

• 耐力:
  

• P/E周期6万次以上

• 温度:
  

• 工作温度范围:-40°C ~ 85°C

• 存储温度范围为-65℃~ 150℃

应用

• wi - fi路由器

• 移动设备

• xDSL / xPON技术

• 数据卡

• IP摄像机

• 机顶盒

• 数字电视

• 智能家居设备

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