ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM是低电压存储设备，有2Gb、4Gb和8Gb密度可供选择。这些设备的低电压核心和I/O功率要求使它们成为移动应用的理想选择。LPDDR4和LPDDR4X SDRAM提供的时钟频率范围从10MHz到1600MHz，数据速率高达3200Mbps / I/O。这些设备配置了8个内部银行每个通道并发操作。LPDDR4和LPDDR4X都以可编程和“动态”突发长度提供了可编程的读和写延迟。

ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM采用双数据速率架构，实现高速运行。双数据速率体系结构是一个16n预取体系结构，其接口设计为在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。这些设备提供参考时钟上升和下降边缘的完全同步操作。数据路径采用内部流水线，并预取16n位以实现非常高的带宽。

特性

• 低压供应

• LPDDR4: 1.8 v

• LPDDR4X: 1.1 v

• 低电压I / O

• LPDDR4: 1.1 v

• LPDDR4X: 0.6 v

• 频率范围10MHz ~ 1600MHz

• 每I/O数据速率20Mbps ~ 3200Mbps

• 16n预取DDR架构

• 每个渠道8家内部银行同时运营

• 多路复用，双数据速率，命令/地址输入

• 低功耗的移动功能

• 可编程的读写延迟

• 可编程的实时突发长度(BL = 16或32)

• 芯片温度传感器，有效的自I刷新控制

• ZQ校准

• 可调驱动力量

• 部分数组自刷新(PASR)

• 10mm x 14.5mm BGA-200包

应用程序

• 移动计算

• 平板电脑