摘要: 瑞萨电子SRAM存储器和数据存储产品采用先进的低功耗SRAM技术,提供高密度和高性能的ram。这些SRAM产品的工作范围从-40°C到85°C宽温度范围和2.7V到3.6V (3V部分)或4.5V到5.5V (5V部分)电压范围。SRAM存...
瑞萨电子SRAM存储器和数据存储产品采用先进的低功耗SRAM技术,提供高密度和高性能的ram。这些SRAM产品的工作范围从-40°C到85°C宽温度范围和2.7V到3.6V (3V部分)或4.5V到5.5V (5V部分)电压范围。SRAM存储器和数据存储产品还提供低功耗的待机功耗,适用于内存应用、电池运行和电池备份设计。
LP-SRAM先进技术
高可靠性:极低的软错误率(0.1FIT/Mbit)
长期支持,在产品寿命计划(PLP)下管理
低功耗
电池备份操作
所有输入和输出都是TTL兼容的
公共数据I / O
-40°C至85°C工作温度范围宽
2.7V ~ 3.6V电压范围(3V部分)-或4.5V ~ 5.5V电压范围(5V部分)
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