Renesas HIP2211EVAL2Z评估板提供了一个全面和通用的平台，用于评估HIP2211 n通道MOSFET半桥驱动。HIP2211EVAL2Z板设计用于60V半桥应用，12V电源偏置HIP2211 IC的V(DD)。

Renesas HIP2211EVAL2Z评估板包括具有TO220和DPAK双足迹的mosfet。此外，该板具有电感-电容输出滤波器，用于评估开环型同步降压DC/DC变换器，其输出电压通过输入HI/LI引脚的信号占空比控制。

特性

• 3A源端和4A sink NMOS栅驱动

• 用于高侧栅网栅极驱动的内部电平移位器和自举二极管

• 高达100V高侧自举参考

• 6V到18V的偏置供电操作

• 快速15ns典型传播延迟和2ns典型传播延迟匹配支持高达1MHz的工作

规范

• 该板针对以下运行条件进行了优化:

• 12V标称VDD电源

• 0V至60V VBRIDGE电源输入

• 100kHz PWM开关频率

• 3A源极和4A汇聚峰值栅极驱动电流

必需的设备

• 一种能提供12V或更高电压且至少有2A源电流能力的电源

• 一种能提供60V或更高电压来偏置半桥的电源

• 一个具有0V到5V逻辑电平输出和100kHz能力的脉冲发生器

• 可选:具有两个同步0V到5V逻辑电平输出和100kHz能力的脉冲发生器

• 一个最小的4通道示波器监测LI, HI, LO, HO和HS信号

• 可选:直流电子负载引出电流LC滤波器输出

前,重新布局